Lista completa de Questões sobre Eletrônica Analógica para resolução totalmente grátis. Selecione os assuntos no filtro de questões e comece a resolver exercícios.
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Uma característica muito importante de um processo de fabricação de circuitos integrados é a resistência de folha. Com relação a esta característica, assinale a alternativa correta:
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Considere a operação do software Virtuoso Layout Editor a partir da tela de edição de layouts propriamente dita. Deseja-se iniciar o desenho do layout de um inversor CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) pelo desenho de um transistor PMOS. Para tal, o usuário deve acessar a opção Create do menu, na qual estão disponíveis algumas opções, EXCETO:
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo n) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo n) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
As conexões internas de um circuito integrado definem qual nível de empacotamento?
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
As técnicas de planejamento de experimentos (DoE) são utilizadas para melhorar a qualidade de processos de fabricação e do produto final. Qual das alternativas não apresenta uma vantagem do uso de DoE?
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Softwares como o Matlab e o Labview são corriqueiramente utilizados em laboratórios de microeletrônica. Esses softwares são primordialmente utilizados respectivamente para
Uma pilha de tensão nominal igual a 1,5 V já usada tem a sua tensão medida por um multímetro digital de 3 ½ dígitos com o seletor em três posições diferentes: 2 VDC, 20 VDC e 200 VDC. Apresenta coerentemente a visualização dos valores no display do multímetro:
{TITLE}
{CONTENT}
{TITLE}
Aguarde, enviando solicitação...