Questões sobre Eletrônica Analógica

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Uma característica muito importante de um processo de fabricação de circuitos integrados é a resistência de folha. Com relação a esta característica, assinale a alternativa correta:

  • A. A resistência de folha é sempre expressa em Ohm/m2.
  • B. A resistência de folha é diretamente proporcional ao comprimento da linha de material medido.
  • C. A resistência de folha depende somente da resistividade intrínseca do material.
  • D. A resistência de folha depende da resistividade intrínseca do material e da espessura ou da profundidade da camada.
  • E. A resistência de folha é diretamente proporcional à espessura ou à profundidade da camada do material.

Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:

  • A. “Display – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “View Name”, selecionar “schematic symbol” e finalmente clicar no botão “OK”.
  • B. “Check – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “Instance”, selecionar “schematic” e finalmente clicar no botão “OK”.
  • C. “View – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “Instance”, selecionar “schematic symbol” e finalmente clicar no botão “OK”.
  • D. “Design – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “Instance”, selecionar “schematic symbol” e finalmente clicar no botão “OK”.
  • E. “Design – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “View Name”, selecionar “schematic” e finalmente clicar no botão “OK”.

Considere a operação do software Virtuoso Layout Editor a partir da tela de edição de layouts propriamente dita. Deseja-se iniciar o desenho do layout de um inversor CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) pelo desenho de um transistor PMOS. Para tal, o usuário deve acessar a opção “Create” do menu, na qual estão disponíveis algumas opções, EXCETO:

  • A. “Rectangle”.
  • B. “Path”.
  • C. “Instance”.
  • D. “Stretch”.
  • E. “Pin”.

A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:

  • A. maior facilidade de detecção de defeitos.
  • B. maior densidade de conexões possíveis.
  • C. maior dissipação elétrica.
  • D. menor indutância parasita.
  • E. maior condutividade elétrica.

Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm2; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja VDD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a

  • A. 20 fF.
  • B. 9 fF.
  • C. 180 fF.
  • D. 200 fF.
  • E. 18 fF.

Um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com 100 nm de comprimento tem espessura de óxido na porta de 40 Å. A capacitância linear medida na largura da porta é igual a: (considere a permissividade do vácuo ε0 = 8,85 x 10-12 F/m e a permissividade relativa do óxido εox = 4)

  • A. 0,885 fF/μm.
  • B. 8,85 fF/μm.
  • C. 17,7 fF/μm.
  • D. 8,85 pF/μm.
  • E. 1,77 pF/μm.

As conexões internas de um circuito integrado definem qual nível de empacotamento?

  • A. Quatro.
  • B. Três.
  • C. Dois.
  • D. Um.
  • E. Zero.

As técnicas de planejamento de experimentos (DoE) são utilizadas para melhorar a qualidade de processos de fabricação e do produto final. Qual das alternativas não apresenta uma vantagem do uso de DoE?

  • A. Redução no número de experimentos.
  • B. Aumento do número de fatores investigados.
  • C. Aumento no número de respostas investigadas.
  • D. Determinação da interação entre os fatores.
  • E. Análise estatística dos resultados.

Softwares como o Matlab e o Labview são corriqueiramente utilizados em laboratórios de microeletrônica. Esses softwares são primordialmente utilizados respectivamente para

  • A. simulação de Materiais e Simulação Visuais de Imagens.
  • B. análise de Dados e Aquisição de Dados.
  • C. estudo de Materiais e Imageamento de Laboratórios.
  • D. aquisição de Dados e Análise de Dados.
  • E. análise de Dados e Simulação de Imagens.

Uma pilha de tensão nominal igual a 1,5 V já usada tem a sua tensão medida por um multímetro digital de 3 ½ dígitos com o seletor em três posições diferentes: 2 VDC, 20 VDC e 200 VDC. Apresenta coerentemente a visualização dos valores no display do multímetro:

  • A.

  • B.

  • C.

  • D.

  • E.

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