Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.

O germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.

• C. Certo
• E. Errado

A utilização de materiais semicondutores, tais como alguns elementos tetravalentes, permitiu a construção de dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Acerca desse tema, julgue os itens que se seguem.

Um cristal de silício tem, à temperatura ambiente, uma maior quantidade de elétrons livres, se comparado a um cristal de germânio.

• C. Certo
• E. Errado

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

Elementos como silício, gálio, arsênio e fósforo são adequados para a fabricação de LED, permitindo a irradiação da luz em diversas faixas de frequência.

• C. Certo
• E. Errado

Recentes inovações no campo da optoeletrônica aplicada no desenvolvimento de dispositivos e equipamentos ópticos e de baixa potência têm sido empregadas na iluminação pública, na sinalização de trânsito e nas lâmpadas decorativas e residenciais. A respeito desse assunto, julgue os itens subsequentes.

Em um LED (diodo emissor de luz) com polarização direta, os elétrons livres atravessam a junção e se combinam com as lacunas, mudando de um estado de maior energia para um de menor energia e irradiando luz.

• C. Certo
• E. Errado

Com relação às características de materiais utilizados na engenharia elétrica, julgue os itens seguintes.

Dentro de toda a extensão de um corpo formado por um condutor elétrico perfeito, o potencial elétrico é o mesmo em qualquer ponto do corpo.

• C. Certo
• E. Errado

Com relação às características de materiais utilizados na engenharia elétrica, julgue os itens seguintes.

Em material ferromagnético, a suscetibilidade magnética do meio deve ser nula.

• C. Certo
• E. Errado

Para a execução de uma implantação de íons, os seguintes parâmetros de processo devem ser selecionados:

• A. Corrente elétrica e Campo Elétrico.
• B. Energia e dose do feixe de íons, massa do íon e ângulos de inclinação e rotação da amostra.
• C. Energia e dose do feixe de elétrons, massa do elétron e ângulo de inclinação da amostra.
• D. Corrente e dose do feixe de íons, massa do elétron e sem ângulo de inclinação da amostra.
• E. Corrente e dose do feixe de elétrons, massa do íon e sem ângulo de inclinação da amostra.

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

• A. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
• B. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
• C. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
• D. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
• E. junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Pode ser executado em temperatura ambiente.

2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada.

3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada.

Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Todas as três.
• E. Apenas duas delas.

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes

2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs

3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado

Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Apenas duas delas.
• E. Todas as três.