Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

Em um dispositivo semicondutor, o movimento dos portadores de carga por deriva deve-se

• A. ao movimento aleatório resultante da agitação térmica no material semicondutor.
• B. à tensão do substrato.
• C. à aplicação de um campo elétrico no material semicondutor.
• D. à dopagem do material semicondutor.
• E. à corrente de base.

Para uma junção “pn”, sabe-se que a capacitância de junção sem aplicação de tensão Cj0 é igual a 1,6 pF, que a tensão interna da junção V0 é igual a 0,5 V e que o coeficiente de graduação da junção é igual a 0,5. Ao ser aplicada uma tensão de polarização reversa de 1,5 V, a capacitância da junção será igual a:

• A. 0,8 pF.
• B. 2,4 pF.
• C. 16 pF.
• D. 1,6 pF.
• E. 8 pF.

Os terminais de um transistor bipolar de junção são denominados:

• A. fonte, dreno e porta.
• B. catodo, anodo e grade.
• C. diodo, triodo e pentodo.
• D. JFET, MOSFET e IGBT.
• E. emissor, base e coletor.

• A. 2212,5 Å.
• B. 4071 Å.
• C. 4425 Å.
• D. 2212,5 nm.
• E. 4450 nm.

Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 10¹⁹ cm-3, na base é igual a 10¹⁸ cm^-3 e no coletor é igual a 10¹⁵ cm^-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos n_i = 10¹⁰ cm^-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm²/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm²/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10^-19 C)

• A. 1,6 x 10^-18 A e 200.
• B. 16 x 10^-18 A e 100.
• C. 1,6 x 10^-15 A e 300.
• D. 36 x 10^-15 A e 200.
• E. 3,2 x 10^-20 A e 400.

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:

• A. São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.
• B. São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.
• C. São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.
• D. São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.
• E. São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.

Qual principal vantagem dos plasmas RF em comparação com plasmas DC?

• A. Facilidade de usar as fontes RF.
• B. Material a ser corroído pode ser isolante.
• C. Maior aquecimento de amostras.
• D. Controle maior do processo.
• E. Menor pressão de gás.

São tipos de plasma de alta densidade:

• A. ICP e ECR.
• B. ICP e barril.
• C. ICP e por acoplamento capacitivo.
• D. Capacitivo e barril.
• E. Plasma remoto.

• A. 0,2 V.
• B. 3 V.
• C. 2 V.
• D. 0,6 V.
• E. 0,06V.

Qual o intervalo típico de densidade de cargas elétricas (elétrons e íons) em plasmas de alta densidade?

• A. 10⁹- 10¹⁰ cm^-3
• B. 10¹¹- 10¹² cm^-3
• C. 10⁷- 10⁹ cm^-3
• D. Superior a 10¹³ cm^-3
• E. Inferior a 10⁸ cm^-3