Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter

• A. o perfil de implantação na lâmina.
• B. a oxidação da lâmina.
• C. a deposição de um filme fino sobre a lâmina.
• D. a limpeza da lâmina.
• E. os defeitos na lâmina.

Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?

• A. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
• B. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.
• C. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e não manter a uniformidade do processo.
• D. Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
• E. Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.

Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?

• A. Não, somente com inclinação.
• B. Sim, com rotação e inclinação da lâmina.
• C. Não, pois a lâmina de Si tem estrutura amorfa.
• D. Não, pois com a lâmina de Si com orientação cristalina (100) não ocorre o efeito de canalização.
• E. Sim, mas não precisa da inclinação.

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

• A. Em torno de 1 MeV.
• B. Em torno de 100 keV.
• C. Em torno de 10 MeV.
• D. Em torno de 50 keV.
• E. Em torno de 1 keV.

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 10²⁰ cm^-3) em lâmina de Si?

• A. Em torno de 10¹⁰ cm^-2
• B. Em torno de 10¹¹ cm^-2
• C. Em torno de 10¹² cm^-2
• D. Em torno de ou maior que 10¹⁴ cm^-2
• E. Entre 10¹² cm^-2 e 10¹³ cm^-2

O implantador de íons é do tipo:

• A. Acelerador de partículas.
• B. Sistema de corrosão por plasma.
• C. Sistema sputtering.
• D. Sistema de deposição por plasma.
• E. Tubo de Raios Catódicos.

Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:

• A. Frenagem eletrônica e Frenagem nuclear.
• B. Frenagem nuclear e Frenagem eletrônica.
• C. Frenagem atômica e Frenagem eletrônica.
• D. Frenagem nuclear e Frenagem atômica.
• E. Frenagem eletrônica e Frenagem atômica.

Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?

• A. Frenagem eletrônica
• B. Frenagem atômica
• C. Frenagem nuclear
• D. Frenagem magnética
• E. Frenagem elétrica

• A. I – Q , II – P , III – S
• B. I – Q , II – S , III – R
• C. I – P , II – Q , III – R
• D. I – S , II – R , III – Q
• E. I – R , II – Q , III – P

Quanto às propriedades magnéticas da matéria, os materiais se classificam em ferromagnéticos, paramagnéticos e diamagnéticos. O material dito paramagnético é aquele que apresenta uma permeabilidade magnética

• A. nula
• B. cerca de mil vezes inferior à do vácuo
• C. ligeiramente menor do que a do vácuo
• D. pouco maior do que a do vácuo
• E. de cem a mil vezes maior do que a do vácuo