Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará mais em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a maior profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

• A. ⁷⁵As⁺,
• B. ³¹P⁺
• C. ¹¹B⁺
• D. Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si.
• E. Os íons de ³¹P⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

• A. ⁷⁵As⁺
• B. ³¹P⁺
• C. ¹¹B⁺
• D. Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si
• E. Os íons de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

• A. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• B. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• C. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• D. Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
• E. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

• A. As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.
• B. A implantação de íons de ³¹P⁺
• C. A implantação de íons de ¹¹B⁺
• D. A implantação de íons de ⁷⁵As⁺
• E. As implantações de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de ³¹P⁺ destruirá mais.

Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?

• A. Oxidação térmica seca.
• B. Recozimento térmico em ambiente inerte.
• C. Deposição a partir da fase vapor.
• D. Oxidação térmica úmida.
• E. Tratamento térmico em ambiente de oxigênio.

Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?

• A. Ambiente inerte com gás nitrogênio.
• B. Ambiente em vácuo com pressão em torno de 1 mTorr.
• C. Ambiente em vácuo em pressão atmosférica.
• D. Ambiente inerte com gás argônio.
• E. Ambiente em vácuo com pressão menor que 10^-6 Torr.

Qual é a função do analisador magnético do sistema de implantação de íons?

• A. Selecionar a dose do feixe de íons.
• B. Selecionar a energia do feixe de íons.
• C. Selecionar a massa do íon.
• D. Selecionar a corrente do feixe de íons.
• E. Selecionar o ângulo de inclinação da lâmina para implantação.

Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?

• A. Gaiola de Faraday com circuito integrador.
• B. Fonte de íons.
• C. Analisador Magnético.
• D. Gaiola de Lorentz.
• E. Fonte de átomos.

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

• A. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
• B. Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
• C. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
• D. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.
• E. Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.

Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter

• A. a destruição da camada implantada.
• B. a reconstrução da camada implantada.
• C. a resistividade da camada implantada.
• D. a rugosidade da camada implantada.
• E. a reflexão da camada implantada.