Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

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Quais as principais vantagens de plasmas de alta densidade tipo ICP (acoplamento indutivo) em comparação com plasmas com acoplamento capacitivo, para processos de corrosão?

  • A. Maior aquecimento de amostras durante a corrosão.
  • B. Controle independente de densidade do plasma e da autopolarização (self-bias).
  • C. Taxas de corrosão mais altas.
  • D. Danos em materiais menores.
  • E. Pressão de gás menor.

A remoção de fotorresiste por plasma (Ashing) é realizada utilizando descarga em quais gases?

  • A. Cl2
  • B. SF6
  • C. CF4
  • D. O2
  • E. N2

A principal técnica utilizada para detecção de ponto final de corrosão de Si é:

  • A. Elipsometria.
  • B. Perfilometria.
  • C. Espectroscopia de emissão ótica.
  • D. Sonda Langmuir.
  • E. Espectrometria de massa.

Qual a principal aplicação de plasmas na microeletrônica?

  • A. Litografia.
  • B. Limpeza de amostras.
  • C. Metalização.
  • D. Corrosão seca.
  • E. Corrosão úmida.

Para detecção do ponto final de corrosão de lâminas de Si pela espectroscopia ótica, são utilizados sinais de emissão de radicais presentes no plasma:

  • A. Radicais O
  • B. Radicais SF5
  • C. Radicais F
  • D. Radicais C
  • E. Radicais OH

Qual a finalidade da fase do processo RIE chamada breakthrough?

  • A. Corrosão da camada de oxido nativo.
  • B. Corrosão do filme de Si.
  • C. Remoção de fotorresiste.
  • D. Limpeza da amostra.
  • E. Remoção de silício sobrando depois da corrosão.

Maior seletividade em processos de corrosão de SiO2 em comparação com Si, é obtida com misturas de gases incluindo:

  • A. O2 e SF6
  • B. Cl2 e H2
  • C. Cl2 e Ar
  • D. CF4 e H2
  • E. SF6 e H2

Maior anisotropia na corrosão de Si por plasma é obtida em misturas de gases com inclusão de gases:

  • A. SF6
  • B. CF4
  • C. Cl2
  • D. HBr
  • E. CH4

Na corrosão tipo RIE (reactive ion etching), o efeito sinergético aparece por causa de interação de que fatores?

  • A. Alta temperatura dos elétrons e dos íons.
  • B. Alta energia de íons e o aquecimento da amostra.
  • C. Alta energia de íons e o aquecimento do eletrodo.
  • D. Bombardeamento iônico e amorfização do material por radicais reativos.
  • E. Irradiação da amostra por fótons UV e bombardeamento iônico.
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