Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

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Visando a definição de um ambiente computacional otimizado para atender um centro de projetos de Circuitos Integrados de grande porte, qual seria o melhor critério para definir políticas de cotas de uso do disco?

  • A. A definição de cotas só é necessária quando a equipe que trabalha num dado projeto está geograficamente dispersa.
  • B. A utilização de cotas neste contexto é desnecessária pois os projetistas utilizam sempre sua máquina para rodar simulações, inclusive distribuídas.
  • C. Deve-se levar em conta as necessidades específicas de cada projeto e prover algum tipo de interface com a comunidade de projeto para a alteração das cotas de forma dinâmica.
  • D. As cotas devem ser definidas levando-se em conta as necessidades de cada projetista. Além disso, deve-se levar em conta as necessidades específicas de cada projeto e prover algum tipo de interface com a comunidade de projeto para a alteração das cotas de forma dinâmica.
  • E. Inicialmente, deve-se classificar os diferentes tipos de dados existentes na rede. É necessária especial atenção aos dados gerados pelas ferramentas, como por exemplo dados de simulação. Com base na classificação feita deve-se segregar os diferentes tipos de dados em partições isoladas, visando facilitar a implementação de cotas diferenciadas. Além disso, deve-se levar em conta as necessidades específicas de cada projeto e prover algum tipo de interface com a comunidade de projeto para a alteração das cotas de forma dinâmica.

Considerando um projeto de CI com sua configuração sob controle de versão, do ponto de vista dos procedimentos de backup, dados de simulação são considerados:

  • A. Pouco importantes, devem ser armazenados por longo período de tempo e possuir backup confiável.
  • B. Pouco importantes, devem ser armazenados em dispositivos de alta performance e seu backup é opcional.
  • C. Muito importantes, mas devem ser armazenados em dispositivos de alta confiabilidade sendo que seu backup é essencial.
  • D. Muito importantes, devem ser armazenados em dispositivos de alta performance e seu backup é opcional.
  • E. Pouco importantes, mas devem ser armazenados em dispositivos de alta confiabilidade sendo que seu backup é essencial.

A política de contingência, dentro do contexto de desenvolvimento de circuitos integrados, visa principalmente:

  • A. A replicação off-site apenas da base de dados e de dados de simulação dos projetos para sua recuperação imediata em caso de sinistro.
  • B. A replicação off-site apenas da base de dados e de dados de simulação dos projetos para facultar aos projetistas a possibilidade de trabalho remoto em caso de sinistro.
  • C. A replicação off-site da instalação de ferramentas e PDKs, permitindo-se assim a expansão do escritório de projetos para uma outra localidade física, ao mesmo tempo em que se mantém a estrutura de dados original.
  • D. A replicação, em outra máquina necessariamente no mesmo local, da instalação de ferramentas, PDKs e dados de simulação para sua recuperação imediata em caso de perda de dados.
  • E. A replicação off-site da instalação de ferramentas, PDKs e base de dados do projeto para sua recuperação imediata em caso de sinistro.

Com relação à estrutura dos dados gerados, transmitidos e armazenados durante a execução do fluxo de projeto de circuitos integrados, principalmente utilizando-se as ferramentas comerciais, podemos classificá-los em:

  • A. Dados importantes como as bases de dados de projetos. Dados pouco importantes como os arquivos de bibliotecas e IP's e ferramentas EDA/CAD. E os dados não-importantes como os oriundos de simulação, log das ferramentas, arquivos temporários gerados pelas ferramentas de verificação física.
  • B. Dados temporários como os PDK's e ferramentas EDA/CAD. E os dados permanentes como a base de dados dos projetos, modelos matlab, IPs e dados de simulação.
  • C. Dados importantes como PDKs, IPs, bibliotecas de projetos. E dados pouco importantes como os resultados de simulação, modelos matlab e logs de ferramentas.
  • D. Dados temporários como os logs de ferramentas, arquivos pessoais dos projetistas. E dados permanentes como PDKs, arquivos de documentação dos projetos e dados de simulação.
  • E. Dados temporários oriundos de simulação, log das ferramentas, arquivos temporários gerados pelas ferramentas de verificação física e dados permanentes, que podem ser classificados em dados de projeto oriundo de terceiros, como por exemplo Ferramentas de EDA/CAD e PDKs e concebidos pela organização, internamente e em geral sob algum tipo de licenciamento que não permite a divulgação das informações compreendendo documentação, bibliotecas Cadence CDBA ou OA, código verilog, modelos matlab, etc.

Os dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o

  • A. Capacitor MOS.
  • B. Resistor.
  • C. Diodo.
  • D. MOSFET tipo P.
  • E. BJT.

Um dos dispositivos semicondutores mais básicos são os diodos. Com relação ao comportamento de um diodo, analise as seguintes assertivas:

I) Em um diodo em equilíbrio, aparece uma região chamada região de depleção, que é formada pelo mecanismo de difusão de portadores majoritários entre semicondutores tipo P e tipo N, na área de interface entre estes. Tal região é limitada em torno da interface entre os materiais.

II) A região de depleção tem seu tamanho limitado, pois os portadores, ao se deslocarem através da interface, fazem com que os materiais semicondutores deixem de ser neutros. Isso causa o aparecimento de um campo elétrico e a formação de uma corrente chamada corrente de deriva, que contrabalanceia a corrente de difusão.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

  • A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
  • B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
  • C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
  • D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
  • E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Analisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações.

I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N.

III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

Estão corretas as observações:

  • A. I
  • B. I e II
  • C. II
  • D. I e III
  • E. I, II e III

  • A. Diodo de homojunção.
  • B. MOSFET.
  • C. Diodo de heterojunção.
  • D. Capacitor MOS.
  • E. Resistor.

Para a inserção de capacitores em circuitos integrados, alguns tipos de estruturas são possíveis. Um destes tipos é o capacitor MOS. Analisando-se um capacitor MOS, pode-se afirmar que sua capacitância

  • A. é independente da tensão e da frequência do sinal aplicado ao componente.
  • B. é independente da tensão, porém depende da frequência do sinal aplicado ao componente.
  • C. é independente da frequência, porém depende da tensão do sinal aplicado ao componente.
  • D. depende tanto da frequência quanto da tensão do sinal aplicado.
  • E. é dependente do tempo em função do acúmulo de cargas nos materiais que o constituem..

Um engenheiro realizou diversos testes de caracterização de um capacitor MOS variando a tensão aplicada a seus terminais e medindo a capacitância. Analise as seguintes sentenças:

I) A capacitância varia monotonicamente com a tensão.

II) A variação da capacitância é linear com relação à tensão.

III) A curva CV (Capacitância versus Tensão) apresenta um máximo de capacitância.

Este engenheiro pode concluir que estão corretas as sentenças:

  • A. I
  • B. I e II
  • C. II
  • D. II e III
  • E. III
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