Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Diversas estruturas para medição de resistência são possíveis de serem implementadas. Cada um dos tipos de estrutura é mais adequado dependendo do que se deseja em termos de medidas e de precisão. Analise as sentenças a seguir, sobre a estrutura de resistência do tipo ponte:

I) Esta estrutura é formada por 4 (quatro) terminais conectados a uma linha do material a ser caracterizado, dois terminais nas extremidades e dois terminais internos.

II) A estrutura tipo ponte permite a medição de resistência de diversos tipos de materiais com alta precisão.

III) A estrutura ponte, por realizar a medição de tensão em terminais por onde não se passa corrente, não sofre influência de resistências parasitárias.

Estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. I, II e III

Uma característica muito importante de um processo de fabricação de circuitos integrados é a resistência de folha. Com relação a esta característica, assinale a alternativa correta:

• A. A resistência de folha é sempre expressa em Ohm/m².
• B. A resistência de folha é diretamente proporcional ao comprimento da linha de material medido.
• C. A resistência de folha depende somente da resistividade intrínseca do material.
• D. A resistência de folha depende da resistividade intrínseca do material e da espessura ou da profundidade da camada.
• E. A resistência de folha é diretamente proporcional à espessura ou à profundidade da camada do material.

Considere a operação do software Virtuoso Schematic Composer a partir da visualização de uma célula padrão de alto nível. Para se visualizarem os níveis mais baixos da hierarquia do esquemático, o usuário deve selecionar as opções:

• A. “Display – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “View Name”, selecionar “schematic symbol” e finalmente clicar no botão “OK”.
• B. “Check – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “Instance”, selecionar “schematic” e finalmente clicar no botão “OK”.
• C. “View – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “Instance”, selecionar “schematic symbol” e finalmente clicar no botão “OK”.
• D. “Design – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “Instance”, selecionar “schematic symbol” e finalmente clicar no botão “OK”.
• E. “Design – Hierarchy – Descend Read”, clicar na célula padrão, em seguida, na guia “Descend” que se abrirá, no campo “View Name”, selecionar “schematic” e finalmente clicar no botão “OK”.

A maneira mais tradicional para medição da resistência de folha e que permite maior precisão é através da estrutura

• A. Early.
• B. Kelvin.
• C. Fermi.
• D. de resistência simples.
• E. de Van der Pauw.

Considere a operação do software Virtuoso Layout Editor a partir da tela de edição de layouts propriamente dita. Deseja-se iniciar o desenho do layout de um inversor CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) pelo desenho de um transistor PMOS. Para tal, o usuário deve acessar a opção “Create” do menu, na qual estão disponíveis algumas opções, EXCETO:

• A. “Rectangle”.
• B. “Path”.
• C. “Instance”.
• D. “Stretch”.
• E. “Pin”.

A estrutura utilizada para medição de resistência de contato é a estrutura

• A. Early.
• B. Kelvin.
• C. Fermi.
• D. de resistência simples.
• E. de Van der Pauw.

Em um processo de encapsulamento de circuito integrado utilizando Solda de Fios, qual fio é utilizado na técnica de Solda de Bola (Ball bonding)?

• A. Alumínio.
• B. Ferro.
• C. Níquel.
• D. Ouro.
• E. Platina.

A técnica de montagem de chips (dies) por Solda de Fios (Wire Bonding) apresenta a seguinte vantagem quando comparada com a técnica de flip-chip:

• A. maior facilidade de detecção de defeitos.
• B. maior densidade de conexões possíveis.
• C. maior dissipação elétrica.
• D. menor indutância parasita.
• E. maior condutividade elétrica.

Seja um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”) com contatos de tamanho unitário em um processo de 0,6 μm. Considere as características do transistor: capacitância de junção = 15 fF/μm²; coeficiente de gradação de junção = 0,5; distribuição periférica de capacitância = 5 fF/μm; coeficiente de gradação periférica de junção = 0,5 e potencial elétrico intrínseco à temperatura ambiente = 1 V. Assuma, ainda, que o substrato esteja aterrado e que a tensão de polarização no dreno seja V_DD = 8 V. A partir das informações apresentadas, pode-se afirmar que a capacitância parasita de difusão no dreno do transistor é igual a

• A. 20 fF.
• B. 9 fF.
• C. 180 fF.
• D. 200 fF.
• E. 18 fF.

Qual modo de condução térmica é a transferência de calor de um sólido a um fluído ou gás em movimento?

• A. Convecção.
• B. Condução.
• C. Radiação.
• D. Bipolarização.
• E. Indução.