Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Ao analisar um capacitor MOS, pode-se traçar uma curva do valor de capacitância em função da tensão aplicada aos terminais. Sobre esta curva, conhecida como curva CV, pode-se afirmar que

• A. é praticamente uma reta horizontal, uma vez que a variação da capacitância em função da tensão é muito pequena.
• B. possui um valor mínimo, porém tende a infinito conforme a tensão varia.
• C. pode ser dividida em três regiões: região de acumulação, região de depleção e região de inversão.
• D. possui um valor máximo, porém tende a zero conforme a tensão varia.
• E. não é uma curva contínua, já que para alguns valores de tensão a capacitância muda bruscamente de valor, devido aos mecanismos de difusão de portadores.

• A. Capacitor MOS.
• B. Diodo de heterojunção.
• C. Transistor MOSFET de canal N.
• D. Diodo de homojunção.
• E. Transistor MOSFET de canal P.

Um transistor MOSFET possui algumas regiões de operação que variam conforme a polarização dos terminais deste dispositivo. A única alternativa que NÃO corresponde a uma região de operação de um MOSFET é

• A. corte.
• B. saturação.
• C. linear.
• D. triodo.
• E. inversão.

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:

• A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
• C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (V_GS), e entre dreno e fonte (V_DS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão V_GS fixa, acima da tensão de limiar (V_t), variando-se a tensão V_DS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se V_DS = V_GS - V_t, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em V_DS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

• A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
• C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao terra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (Vt) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de:

• A. corte, saturação, linear
• B. corte, corte, linear
• C. saturação, saturação, saturação
• D. linear, saturação, saturação
• E. linear, linear, saturação

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (V_GS) e entre dreno e fonte (V_DS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (I_DS). Com este esquema de testes, V_DS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se V_GS medindo-se I_DS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa V_GS e ordenada I_DS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:

• A. Tensão de limiar.
• B. Região de operação.
• C. Tensão de Early.
• D. Mobilidade.
• E. Corrente de sub-limiar.

Para se fabricar um inversor com transistores MOS, pode-se fazê-lo utilizando:

• A. Um MOSFET canal P.
• B. Um MOSFET canal N.
• C. Um MOSFET canal P e um canal N.
• D. Dois MOSFET canal P.
• E. Dois MOSFET canal N.

• A. 4,5 MÙ.
• B. 3 kÙ.
• C. 2,75 MÙ.
• D. 3,25 MÙ.
• E. 4,25 kÙ.

Um inversor MOS foi construído com MOSFETs casados com tensão de limiar, V_t = 0,5V. Sabendo-se que a tensão de alimentação utilizada é V_DD = 5V, assinale a alternativa que apresenta o menor valor de tensão de entrada que será considerado como um nível lógico 1.

• A. 3,2V.
• B. 2V.
• C. 2,8V.
• D. 3V.
• E. 2,5V.