Questões sobre Geral

A figura I acima ilustra, esquematicamente, um sistema de condicionamento de ar para a climatização de conforto de um ambiente, com componentes A, B, C e D que processam o ar; a figura II mostra a carta psicrométrica dos processos envolvidos na operação desse sistema. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

O processo 2→3 representa resfriamento e desumidificação do ar que, tipicamente, ocorre durante a troca simultânea de calor e massa em serpentinas de evaporação direta ou indireta com aumento da umidade relativa do ar.

• C. Certo
• E. Errado

Assinale a alternativa que NÃO apresenta um tipo de FMEA.

• A. FMEA do produto.
• B. FMEA heurístico.
• C. FMEA do processo.
• D. FMEA de serviço.
• E. FMEA do sistema.

A figura I acima ilustra, esquematicamente, um sistema de condicionamento de ar para a climatização de conforto de um ambiente, com componentes A, B, C e D que processam o ar; a figura II mostra a carta psicrométrica dos processos envolvidos na operação desse sistema. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

Na figura I, o componente A está associado à mistura entre as correntes de ar recirculado e de renovação. Esse processo é representado na carta psicrométrica pela linha que une os pontos 1, 2 e 5, sendo o ponto 2 a condição de mistura.

• C. Certo
• E. Errado

Considerando uma amostra de tamanho 100 em que dados históricos revelaram uma proporção média de defeitos igual a 10%, pode-se afirmar que o desvio-padrão da distribuição da proporção de peças defeituosas é igual a

• A. 0,0009.
• B. 0,03.
• C. 0,003.
• D. 0,009.
• E. 0,3.

A figura I acima ilustra, esquematicamente, um sistema de condicionamento de ar para a climatização de conforto de um ambiente, com componentes A, B, C e D que processam o ar; a figura II mostra a carta psicrométrica dos processos envolvidos na operação desse sistema. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

O duto que conecta o componente C ao ambiente deve ser isolado termicamente para que não haja condensação de vapor sobre a face externa do duto se o ar externo a esse duto apresentar temperatura de bulbo seco inferior a aproximadamente 17 ºC

• C. Certo
• E. Errado

As afirmativas abaixo se referem a técnicas usadas no processo de fabricação de circuitos integrados.

I – Técnica usada na fabricação de circuitos integrados para transferir um padrão desejado para a superfície do wafer, sendo considerada a etapa fundamental de todo o processo.

II – Remoção seletiva de material das áreas do wafer desprotegidas.

III – Na deposição de uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a orientação cristalina do substrato.

Assinale a alternativa que relaciona corretamente a afirmativa com a técnica a que se refere.

• A. I – Fotolitografia; II – Etching; III – Crescimento epitaxial.
• B. I – Crescimento epitaxial; II – Etching ; III – Fotolitografia.
• C. I – Etching; II - Crescimento epitaxial; III – Fotolitografia.
• D. I – Crescimento epitaxial; II – Fotolitografia; III – Etching.
• E. I – Fotolitografia; II – Crescimento epitaxial; III – Etching.

• A.

  28,6 e 1,95.

• B.

  28,6 e 1,40.

• C.

  28,6 e 1,08.

• D.

  27,8 e 1,35.

• E.

  27,8 e 1,48.

A figura I acima ilustra, esquematicamente, um sistema de condicionamento de ar para a climatização de conforto de um ambiente, com componentes A, B, C e D que processam o ar; a figura II mostra a carta psicrométrica dos processos envolvidos na operação desse sistema. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

Ao se analisar o processo 3→4, na figura II, infere-se que o componente C pode representar algum dispositivo de aquecimento terminal sensível que promove ajuste da temperatura e umidade relativa do ar a ser insuflado no ambiente climatizado.

• C. Certo
• E. Errado

Abaixo são citadas características de dois tipos de etching: o seco e o molhado.

I – É anisotrópico, por isso, menos suscetível a remoções laterais indesejadas, ocorrendo em taxas mais lentas.

II – Usa agentes químicos, e apresenta remoção altamente seletiva e isotrópica.

III – Ocasiona remoção lateral indesejada

A(s) afirmativa(s) que se refere(m) ao etching seco é (são):

• A. I, II e III.
• B. II e III.
• C. I.
• D. II.
• E. III.

• A.

  varistor.

• B.

  diodo Shottky.

• C.

  IGBT.

• D.

  FET.

• E.

  UJT.