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Considere que um sistema de termo-acumulação utiliza uma solução de água e etilenoglicol, cujo comportamento é mostrado no gráfico acima, que é bombeada a -20 oC por tanques de gelo para armazenamento latente de energia. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.
Em termos de manutenção, a instalação requer um controle periódico da concentração de etilenoglicol e, nesse caso, uma avaliação indireta da concentração por meio da medição direta da densidade da solução é um método insatisfatório.
Engenharia Eletrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Uma importante etapa da fabricação de circuitos integrados é a deposição de filmes muito finos e estreitos de um metal formando uma linha que conecta os diversos dispositivos. Após a deposição desses materiais, outros tratamentos térmicos ainda devem ser realizados com temperaturas de até 500º C. Caso ocorra difusão do metal para o interior do silicone, o circuito integrado pode perder a sua funcionalidade elétrica. Observe os coeficientes de difusão dos metais abaixo no silício (Si):
I coeficiente de difusão da prata (Ag) = 4,2 x 10-17m2/s.
II coeficiente de difusão do alumínio (Al) = 2,5 x 19-21 m2/s.
III coeficiente de difusão do ouro (Au) =2,5 x 19-15 m2/s.
IV coeficiente de difusão do cobre (Cu) = 4 x 10-13m2/s.
Com base nesses dados e no enunciado da questão, o metal mais indicado para a formação das linhas de interconexão é
Considere que um sistema de termo-acumulação utiliza uma solução de água e etilenoglicol, cujo comportamento é mostrado no gráfico acima, que é bombeada a -20 oC por tanques de gelo para armazenamento latente de energia. Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.
Para operar na condição apresentada deve-se utilizar uma solução aquosa com aproximadamente 350 mL de etilenoglicol por litro de solução. Contudo, é conveniente adotar uma concentração maior, pois, além de garantir a segurança de operação, maiores concentrações de etilenoglicol permitem intensificar a transferência de calor e, ao mesmo tempo, reduzir a perda de carga.
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A oxidação térmica do silício tem como finalidade
I formar máscaras que impedem a implantação iônica e a difusão de dopante no silício (Si). II auxiliar na conexão de circuitos, dada a alta condutividade do dióxido de silício (SiO2). III a passivação da superfície do wafer. Assinale a alternativa correta.Engenharia Eletrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
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A impedância de entrada do circuito, vista pela fonte que gera v2, é igual a R2.
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