Questões de Engenharia Elétrica

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Assinale a alternativa que apresenta as desvantagens da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

  • A. Temperatura elevada.
  • B. Contaminação química.
  • C. Cobertura de degrau pobre.
  • D. Contaminação por partículas.
  • E. Taxas de deposição excessivamente altas, o que dificulta o controle do processo.

  • A.

    a reatância é capacitiva.

  • B.

    a carga provoca atraso na corrente da rede de alimentação.

  • C.

    a reatância é indutiva, pois a corrente está em fase com a tensão da resistência R.

  • D.

    o fator de potência da carga total é unitário.

  • E.

    resistência é desprezível, pois a tensão na reatância está em quadratura em relação à corrente.

De acordo com a NR10 “Em todos os serviços executados em instalações elétricas devem ser previstas e adotadas, prioritariamente, medidas de proteção coletiva aplicáveis, mediante procedimentos, às atividades a serem desenvolvidas, de forma a garantir a segurança e a saúde dos trabalhadores.”

Em ordem de prioridade, as medidas previstas pela NR10 são:

  • A.

  • B.

  • C.

  • D.

  • E.

 

Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

A densidade superficial de cargas nas placas do capacitor é superior a 50 nC/m2.

  • C. Certo
  • E. Errado

  • A. 14 horas.
  • B. 1390 horas.
  • C. 5 minutos.
  • D. 1390 segundos.
  • E. 1390 minutos.

Esquema de aterramento que possui um ponto da alimentação diretamente aterrado, normalmente o neutro, com as massas da instalação ligadas a um ou mais eletrodos de aterramento independentes daquele usado na alimentação:

  • A.

    IT

  • B.

    TT

  • C.

    TN-S

  • D.

    TN-C

  • E.

    TN-C-S

 

Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

Se a rigidez dielétrica do material for igual a 5 kV/m, não haverá ruptura do dielétrico.

  • C. Certo
  • E. Errado

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

  • A. Elipsometria espectral.
  • B. Espectrometria de massa por íons secundários.
  • C. Levantamento do perfil capacitância-voltagem.
  • D. Resistência ao espalhamento.
  • E. Fotoluminescência.
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