Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

• A. aceleração do spinner.
• B. velocidade final de rotação.
• C. velocidade do plasma.
• D. velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.
• E. viscosidade da solução.

Considere as afirmativas abaixo.

I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.

II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.

III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas II e III estão corretas.
• E. Apenas I e III estão corretas.

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

• A. spin-on.
• B. deposição física a partir de vapor por Sputtering.
• C. deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
• D. deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
• E. deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.

• A. Tratamento térmico.
• B. Concentração de dopante.
• C. Tipo de dopante.
• D. Ciclo térmico.
• E. Rotação do spinner.

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

• A. Apenas I é utilizada.
• B. Apenas II é utilizada.
• C. Apenas III é utilizada.
• D. Apenas I e II são utilizadas.
• E. I, II e III são utilizadas.

Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.

• A. Deposição de fotorresite.
• B. Deposição de poliimida.
• C. Metalização.
• D. Deposição de epóxi.
• E. Deposição de camada de vidro com propriedades semelhantes ao dióxido de silício.

O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque

I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício.

II – pode ser obtido em baixas temperaturas.

III – possui ótima aderência ao substrato de silício.

Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas II é verdadeira.
• C. Apenas III é verdadeira.
• D. Apenas II e III são verdadeiras.
• E. I, II e III são verdadeiras.

Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.

• A. Dielétrico de porta em estrutura metal-óxido-substrato (MOS).
• B. Camada de isolação entre camadas de silício/polissilício e metais.
• C. Agente catalizador da difusão para dopagem.
• D. Máscara em processos de corrosão.
• E. Camada de passivação e proteção.

Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício.

I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que a oxidação úmida.

II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on.

III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e III estão corretas.
• E. Apenas II e III estão corretas.

Qual das alternativas abaixo melhor ilustra as etapas básicas do fluxo de projeto analógico, em sua ordem cronológica, considerando a interdependência entre as etapas e as respectivas ferramentas de EDA utilizadas?

• A. Entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica com parasitas (Spectre), LVS (Assura), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (QRC Extraction).
• B. Concepção, especificação, entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), elaboração de layout (Virtuoso Layout XL) DRC (Assura), LVS (Assura), extração de parasitas (QRC Extraction), simulação elétrica com parasitas (Spectre).
• C. Concepção, especificação, entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (Calibre), LVS (Assura), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica com parasitas (QRC Extraction).
• D. DRC (StarRC), LVS (Assura LVS), entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), extração de parasitas (Assura RCX), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), simulação elétrica com parasitas (Calibre).
• E. Entrada de esquemático (Virtuoso Schematic Editor), elaboração de layout (Virtuoso Layout XL), LVS (Calibre), simulação elétrica sem parasitas (Spectre), DRC (Assura).