Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. I, II e III estão corretas.

As afirmativas abaixo se referem ao reator de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – Na deposição química a partir de vapor em baixas temperaturas, é possível se posicionar os wafers na vertical, com espaçamento bastante reduzido entre eles, proporcionando o posicionamento de grande número de wafers no interior da câmara, o que compensa as baixas taxas de deposição em relação à deposição química, a partir de vapor à pressão atmosférica. II – Como os gases reagentes são consumidos ao entrarem em contato com os wafers, a concentração de gases reagentes próxima à entrada da mistura de gases é maior do que a concentração de gases reagentes próxima à saída dos gases. III - O estabelecimento de um gradiente de temperatura no interior da câmara, com o aumento da temperatura no sentido contrário ao fluxo de gases (temperatura maior na entrada e menor na saída dos gases) é fundamental para aumentar a uniformidade dos wafers. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s):

• A. I, II, III estão corretas.
• B. Apenas I e II estão corretas.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e III estão corretas.
• E. Apenas II está correta.

A seguir, são apresentadas algumas vantagens de diferentes processos de deposição química a partir de vapor.

I – Reator simples.

II – Altas taxas de deposição.

III – Excelente pureza e uniformidade.

IV – Baixa temperatura.

Assinale a alternativa que apresenta a(s) vantagem(ns) da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

• A. Apenas I.
• B. Apenas I e II.
• C. Apenas III.
• D. Apenas II e III.
• E. Apenas III e IV.

Assinale a alternativa que apresenta as desvantagens da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

• A. Temperatura elevada.
• B. Contaminação química.
• C. Cobertura de degrau pobre.
• D. Contaminação por partículas.
• E. Taxas de deposição excessivamente altas, o que dificulta o controle do processo.

• A. 14 horas.
• B. 1390 horas.
• C. 5 minutos.
• D. 1390 segundos.
• E. 1390 minutos.

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

• A. Elipsometria espectral.
• B. Espectrometria de massa por íons secundários.
• C. Levantamento do perfil capacitância-voltagem.
• D. Resistência ao espalhamento.
• E. Fotoluminescência.

Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO₂).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O₂) e água (H₂O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

• A. apenas I.
• B. apenas II.
• C. apenas III.
• D. apenas I e II.
• E. apenas II e III.

Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.

II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.

III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.

Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)

• A. apenas I.
• B. apenas II.
• C. apenas III.
• D. apenas II e III.
• E. apenas I, II e III.

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

• A. deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.
• B. deposição química de vapor melhorada por plasma.
• C. spin-on.
• D. deposição física a altas temperaturas.
• E. deposição física por Sputtering.

Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.

I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.

II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.

III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício.

A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)

• A. apenas I.
• B. apenas II.
• C. apenas III.
• D. apenas I e II.
• E. apenas I, II e III.