Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.

• A. Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e processo com plasma de oxigênio.
• B. Limpeza RCA e corrosão com HCl.
• C. Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e limpeza RCA.
• D. Processo com plasma de oxigênio e limpeza RCA.
• E. Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e corrosão com solução de HCl.

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

• A. A obtenção de junções rasas.
• B. A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino.
• C. A silicetação.
• D. A obtenção de óxido de porta ultra-fino.
• E. Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.

Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?

1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.

2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.

3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.

Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):

• A. 1.
• B. 1, 2 e 3.
• C. 2.
• D. 1 e 2.
• E. 2 e 3.

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção?

1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons.

2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados.

3 - Para oxidar a lâmina.

4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem.

Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

• A. 1 e 2.
• B. 2 e 3.
• C. 2, 3 e 4.
• D. 1, 2 e 3.
• E. 1, 3 e 4.

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

• A. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• B. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
• C. Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
• D. Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• E. Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

O que é a técnica de fotolitografia?

• A. É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• B. É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• C. É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• D. É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• E. É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

• A. Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo.
• B. Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio.
• C. Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio.
• D. Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio.
• E. Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

• A. Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
• B. Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
• C. Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
• D. Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
• E. Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

• A. Solução de ácido nítrico (HNO₃).
• B. Solução básica de amoníaco (NH₄OH).
• C. Solução de ácido fosfórico (H₃PO₄).
• D. Solução de ácido fluorídrico (HF).
• E. As soluções de ácido nítrico (HNO₃) e ácido fosfórico (H₃PO₄) podem ser usadas para a corrosão do SiO₂.

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

• A. Apenas 2 e 3.
• B. Apenas 3 e 4.
• C. Apenas 1, 2 e 3.
• D. Apenas 2, 3 e 4.
• E. 1, 2, 3, e 4.