Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

O processo por corrosão por plasma caracteriza-se como

• A. seco e anisotrópico.
• B. úmido e anisotrópico.
• C. úmido e isotrópico.
• D. úmido e oxidante.
• E. seco e sem direção preferencial de corrosão.

Para que serve a técnica de metalização?

• A. Para a obtenção dos contatos ôhmicos nos dispositivos semicondutores e as linhas de interconexão entre os diversos pontos do circuito integrado.
• B. Para a obtenção de filmes finos isolantes entre trilhas metálicas.
• C. Para a deposição de polímeros entre trilhas metálicas.
• D. Para auxiliar a implantação de íons e dopagem da lâmina.
• E. Para a obtenção do óxido de porta.

Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?

• A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
• B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
• C. Microscopia de força atômica (AFM).
• D. Elipsometria.
• E. Perfilometria.

Qual a técnica usada para a obtenção de uma imagem em secção transversal, com alta resolução, de uma camada de SiO₂ sobre substrato Si, identificando as estruturas amorfa e cristalina do SiO₂ e Si, respectivamente.

• A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
• B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
• C. Microscopia de força atômica (AFM).
• D. Elipsometria.
• E. Perfilometria.

Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?

• A. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• B. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• C. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• D. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• E. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de corrente-tensão (I-V).

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas II é verdadeira.
• C. Apenas III é verdadeira.
• D. Apenas I e III são verdadeiras.
• E. Apenas II e III são verdadeiras.

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10^-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10^-16 cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.

• A. Uma hora e quarenta minutos.
• B. Cinco horas.
• C. Dez horas.
• D. Dez minutos.
• E. Uma hora.

Leia atentamente as afirmativas abaixo:

I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais.

II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO₂), em que ocorre a reação de oxidação do silício.

III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida.

IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons.

Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.

• A. Apenas I e IV são verdadeiras.
• B. Apenas II e III são verdadeiras.
• C. Apenas III e IV são verdadeiras.
• D. Apenas II e IV são verdadeiras.
• E. Apenas II, III e IV são verdadeiras.

Leia as afirmativas abaixo.

I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.

Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II e III estão corretas.

Assinale a alternativa que NÃO expressa uma etapa da deposição química a partir de vapor.

• A. O vapor se condensa na superfície do substrato.
• B. Uma mistura de gases reagentes e inertes é introduzida na câmara de reação.
• C. Os reagentes são adsorvidos no substrato.
• D. Os adátomos migram e iniciam as reações químicas que formam um filme.
• E. Os produtos gasosos da reação são dessorvidos e extraídos da câmara de reação.