Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Em um projeto de uma memória ROM (Read Only Memory) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de 16 palavras x 4 bits, deseja-se armazenar a soma de 4 bits de duas variáveis de 2 bits. Para tal, serão necessários:

• A. 4 transistores pMOS e 14 transistores nMOS.
• B. 8 transistores pMOS e 16 transistores nMOS.
• C. 4 transistores pMOS e 22 transistores nMOS.
• D. 8 transistores pMOS e 32 transistores nMOS.
• E. 4 transistores pMOS e 20 transistores nMOS.

A principal técnica utilizada para detecção de ponto final de corrosão de Si é:

• A. Elipsometria.
• B. Perfilometria.
• C. Espectroscopia de emissão ótica.
• D. Sonda Langmuir.
• E. Espectrometria de massa.

• A. 0100
• B. 1000
• C. 1100
• D. 1001
• E. 0101

Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional (acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:

• A. Danos menores durante ICP.
• B. Danos menores durante RIE.
• C. Depende da temperatura do processo.
• D. Depende da temperatura do gás.
• E. Depende do tamanho da lamina.

Na operação do software Virtuoso Layout Editor, o procedimento para fazer com que o software calcule as capacitâncias parasíticas em todas as camadas de layout é:

• A. No menu, selecionar “Verifiy”, depois “Extract”, a seguir, na guia “Extractor” que se abrirá, clicar no botão “Set Switches”, selecionar a opção “Extract_parasitic_caps” e clicar em “OK”.
• B. No menu, selecionar “Tools”, depois “Extract”, a seguir, na guia “Extractor” que se abrirá, clicar no botão “Set Switches”, selecionar a opção “Extract_parasitic_caps” e clicar em “OK”.
• C. No menu, selecionar “Verifiy”, depois “Extract”, a seguir, na guia “Extractor” que se abrirá, marcar a opção “Extract_parasitic_caps” e clicar em “OK”.
• D. No menu, selecionar “Tools”, depois “Extract”, a seguir, na guia “Extractor” que se abrirá, marcar a opção “Extract_parasitic_caps” e clicar em “OK”.
• E. No menu, selecionar “Design”, depois “Extract”, a seguir, na guia “Extractor” que se abrirá, marcar a opção “Extract_parasitic_caps” e clicar em “OK”.

Qual a principal aplicação de plasmas na microeletrônica?

• A. Litografia.
• B. Limpeza de amostras.
• C. Metalização.
• D. Corrosão seca.
• E. Corrosão úmida.

O software Virtuoso Hierarchy Editor permite ao usuário visualizar vários níveis de um único projeto usando uma tabela ou uma vista em árvore. Assinale uma alternativa que NÃO é passível de ser executada pelo Virtuoso Hierarchy:

• A. Apresentar um arquivo de configurações para navegar na hierarquia do projeto desejado.
• B. Modificar vinculações de células e de instâncias.
• C. Especificar vinculações de ocorrências.
• D. Cria novas configurações de projeto.
• E. Alterar uma célula sem alterar sua vinculação e sem abrir uma nova aplicação.

Para detecção do ponto final de corrosão de lâminas de Si pela espectroscopia ótica, são utilizados sinais de emissão de radicais presentes no plasma:

• A. Radicais O
• B. Radicais SF₅
• C. Radicais F
• D. Radicais C
• E. Radicais OH

Alguns anéis de pad existentes nas entradas de dispositivos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) contêm implementações de Schmitt triggers, cuja histerese eleva o ponto de chaveamento quando o sinal de entrada é baixo e o reduz quando o sinal de entrada é alto. A função desse circuito nessas estruturas é

• A. reduzir o retardo de propagação nos circuitos digitais CMOS.
• B. ajudar a filtrar transientes que podem ocorrer se o sinal de entrada se elevar lentamente ou for muito ruidoso.
• C. oferecer um backup, em caso de falha do inversor CMOS, na alteração do nível lógico de um circuito digital.
• D. impedir a eletromigração no anel de pad.
• E. atuar como amplificadores do sinal de entrada.

Qual a finalidade da fase do processo RIE chamada breakthrough?

• A. Corrosão da camada de oxido nativo.
• B. Corrosão do filme de Si.
• C. Remoção de fotorresiste.
• D. Limpeza da amostra.
• E. Remoção de silício sobrando depois da corrosão.