Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Qual é o objetivo de se realizar uma simulação falhas?

• A. Ter certeza que o circuito funciona em qualquer circunstância.
• B. Introduzir um conjunto conhecido de falhas e verificar se o circuito é imune a elas.
• C. Buscar um conjunto de vetores de entrada e de saída que possa auxiliar na identificação de possíveis defeitos de fabricação.
• D. Verificar se o circuito está funcionando conforme as especificações.
• E. Evitar o surgimento de falhas do tipo excesso de atraso.

Descargas elétricas, onde geradores RF são utilizados para produzir plasma, são:

• A. Barril e ICP.
• B. ICP e Capacitivo.
• C. Barril e Lampadas fluorescentes.
• D. Descargas luminosas.
• E. Descargas incandecentes.

Que tipo de falha tipicamente necessita um teste de excesso de atraso?

• A. Falha do tipo stuck-at 1.
• B. Falha do tipo stuck-at 0.
• C. Falha do tipo circuito aberto.
• D. Falha do tipo circuito fechado.
• E. Falha do tipo resistiva causando um caminha reagir mais lentamente.

As principais técnicas de caracterização de plasmas de corrosão são:

• A. Elipsometria e perfilometria.
• B. Perfilometria, XPS e volatilmetria.
• C. Espectrometria de massas.
• D. Espectroscopia de emissão ótica e sondas elétricas tipo Langmuir.
• E. XPS e MSS.

Dado o desenvolvimento de um sistema integrado VLSI, a inserção de blocos ou estruturas para facilitar o teste do circuito integrado ocorre durante:

• A. a especificação do sistema.
• B. o processo de síntese e mapeamento do sistema no nível de portas lógicas com a habilitação das primitivas de teste.
• C. o processo de verificação e extração pós-leiaute do circuito com as primitivas de teste habilitadas.
• D. a coloção do anel de pads de teste.
• E. a verificação lógica e funcional visando a geração de padrões de teste.

Quais os principais produtos voláteis formados durante processo de corrosão de Si em plasmas fluorados?

• A. SiF₄
• B. SiF₂
• C. SiF₃
• D. SiF
• E. SiF₆

• A. A = 0, B = 1 e C = 1
• B. A = 0, B = 1 e C = 0
• C. A = 1, B = 1 e C = 0
• D. A = 1, B = 1 e C = 1
• E. Este tipo de falha não pode ser detectada em G.

Qual o principal motivo da substituição de corrosão úmida pela corrosão seca que aconteceu na microeletrônica nos anos 80- 90?

• A. Necessidade de aumentar a taxa de corrosão.
• B. Necessidade de aumentar a anisotropia de corrosão.
• C. Menores danos ambientais.
• D. Maior uniformidade do processo.
• E. Menor custo do processo.

No contexto de teste funcional e estrutural de um sistema afirma-se o que segue. I. O teste funcional sempre pode ser executado e é a de forma de teste que proporciona a maior cobertura de falhas em menor tempo de execução. II. O teste estrutural é destinado somente para o teste de sistemas que tenham falhado no teste funcional e necessita-se localizar o que causou a falha funcional. III. Para a elaboração de um teste estrutural são necessários o netlist das portas lógicas que implementa o circuito sob teste e o modelo das falhas que deseja-se testar. Tendo em vistas as afirmações de I a III acima, temos que:

• A. Apenas a afirmação I está correta.
• B. Apenas a afirmação II está correta.
• C. Apenas a afirmação III está correta.
• D. Apenas as afirmações II e III estão corretas.
• E. Todas as afirmações estão corretas.

Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?

• A. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
• B. É a energia da banda de condução.
• C. É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.
• D. É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
• E. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.