Questões de Engenharia Elétrica da Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP)

• A.

  a frequência de Ve deve ser muito maior que a frequência de corte do circuito.

• B.

  ela foi originada a partir de uma onda quadrada aplicada em Ve.

• C.

  ela representa a integral de um sinal aplicado em Ve.

• D.

  ela será gerada apenas se o valor de Re for pelo menos 10 vezes o valor de R.

• E.

  se trata de ruído originado por uma fonte de alimentação chaveada.

• A.

  3.

• B.

  4.

• C.

  5.

• D.

  6.

• E.

  7.

• A.

  1 + Rf/R1.

• B.

  o valor equivalente de R1 em paralelo com Rf.

• C.

  o valor equivalente de R1 em série com Rf.

• D.

  R1.

• E.

  Rf.

Com relação ao termo “efeito pelicular” em condutores elétricos, é correto afirmar que

• A.

  ocorre apenas em corrente contínua.

• B.

  ocorre apenas em corrente alternada.

• C.

  é decorrente do aumento da temperatura.

• D.

  é decorrente da diminuição da temperatura.

• E.

  a corrente percorre apenas a superfície do condutor.

Um transistor bipolar polarizado na configuração coletor comum tem como características

• A.

  alta impedância de entrada e baixo ganho de tensão.

• B.

  alta impedância de saída e baixo ganho de corrente.

• C.

  alto ganho de tensão e baixa impedância de entrada.

• D.

  baixa impedância de entrada e baixo ganho de tensão.

• E.

  baixo ganho de corrente e alta impedância de entrada.

Em dispositivos optoeletrônicos, a eficiência quântica interna (Q_s) determina a relação entre o número de

• A.

  elétrons na camada de covalência e o número de lacunas da junção p-n.

• B.

  elétrons que atravessam a junção p-n e o número de lacunas receptoras.

• C.

  fótons emitidos e o número de portadores que conseguem recombinar.

• D.

  fótons gerados e o número de portadores que atravessam a junção p-n e que conseguem se recombinar.

• E.

  íons gerados e o número de recombinações de portadores.

Entre os tipos de fotodiodos existem o ADP (de efeito Avalanche) e o PIN (com região intrínseca). A vantagem do ADP, com relação ao PIN, é

• A.

  o elevado ganho de conversão óptico-elétrica.

• B.

  a baixa sensibilidade à variação da temperatura.

• C.

  a baixa susceptibilidade ao ruído quântico.

• D.

  a baixa tensão de polarização.

• E.

  a estrutura mais simples.

Duas partículas puntiformes eletricamente carregadas, Q₁ = 100 [μC] e Q₂ = 500 [μC], foram posicionadas a uma distância de 5 [mm], entre si, em um meio que possui permissividade elétrica ε_meio = 4^–1π^–1 [mF·m^–1]. Assinale a alternativa que apresenta corretamente o valor do módulo da força de atração entre essas partículas.

• A.

  0,02 [N]

• B.

  0,10 [N]

• C.

  0,20 [N]

• D.

  1,00 [N]

• E.

  2,00 [N]

• A.

  branco não-gaussiano com potência P = WN₀

• B.

  

• C. gaussiano correlacionado com potência P = WN₀
• D.

  

• E.

  não-gaussiano e correlacionado com potência P = 2WN₀

Nos sistemas de comunicações por fibra óptica, a distância dos enlaces sem repetidoras para transmissões em altas taxas é limitada principalmente pelo fenômeno de

• A.

  Dispersão.

• B.

  Difração.

• C.

  Perdas.

• D.

  Refração.

• E.

  Cintilação.