Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012
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O circuito integrado TTL 74LS193, denominado synchronous 4-bit binary counter with dual clock, possui um pino cuja função é enviar para as saídas QD, QC, QB e QA os dados presentes nas entradas D, C, B e A, sendo tal pino identificado por:
- A.
CARRY
- B.
COUNT DOWN
- C.
COUNT UP
- D.
LOAD
- E.
BORROW
Sistema de modulação chaveado em que a informação digital binária modifica a frequência de um sinal analógico senoidal:
- A.
PWM
- B.
ASK
- C.
PAM
- D.
PSK
- E.
FSK
A função de D1 é
- A.
proteger o transistor da força contra-eletromotriz que surge na bobina do relé na sua desenergização.
- B.
proteger o transistor dos picos de tensão provenientes do polo positivo da fonte de alimentação.
- C.
eliminar faiscamentos nos contatos do relé.
- D.
limitar a tensão na bobina do relé.
- E.
evitar que o transistor sature mesmo que o potencial de base seja nulo.
É correto afirmar:
- A.
Quanto maior a resistência do potenciômetro no circuito, mais claridade é necessária para ativar o relé.
- B.
O potenciômetro serve para ajustar a tensão de operação do relé.
- C.
Quando a luminosidade é baixa, o transistor satura e ativa o relé.
- D.
A luminosidade constante no LDR faz com que o relé fique oscilando entre energizado e desenergizado.
- E.
O relé só se energiza quando o transistor encontra-se cortado.
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
- A.
external address e clock.
- B.
reset e enable address.
- C.
reset e clock.
- D.
reset e subrotina.
- E.
clock e enable data.
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
Sobre a tecnologia WiMAX (Worldwide Interoperability for Microwave Access), considere:
I. O padrão utilizado é o IEEE 802.16 com a sua interface aérea de Wireless MAN.
II. Possibilita taxa de transmissão da ordem de 275 Mbps.
III. É uma tecnologia apenas para acesso sem fio de banda larga fixa.
IV. O padrão IEEE 802.16e possibilita a conectividade móvel em velocidades maiores que os padrões anteriores.
Está correto o que consta APENAS em
- A.
I e II.
- B.
II e III.
- C.
II, III e IV.
- D.
I, III e IV.
- E.
I e IV.
- A.
1,5 V.
- B.
3 V.
- C.
2 V.
- D.
3,5 V.
- E.
5 V.
- A.
dois diodos Schottky.
- B.
um diodo Schottky e um diodo de junção de silício.
- C.
um diodo de silício e um de germânio.
- D.
dois diodos Schottky e um transistor PNP.
- E.
um diodo Schottky e um transistor NPN.
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