Lista completa de Questões de Engenharia Mecatrônica do ano 2012 para resolução totalmente grátis. Selecione os assuntos no filtro de questões e comece a resolver exercícios.
Engenharia Mecatrônica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
A principal vantagem do retificador em ponte sobre outros tipos de retificadores é o fato de
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Um circuito retificador de meia onda com resistor R de valor nominal de 1 k opera alimentado por rede AC de 220 Vrms e 50 Hz à qual é acoplado por um transformador rebaixador de 220:1. Além disso, esse circuito utiliza um diodo de silício com queda constante VD0 de 0,5 V, independentemente da intensidade da corrente. Sobre o circuito, considerando-se a resistência interna do diodo desprezível em relação a R, pode-se afirmar que a fração do ciclo na qual há condução do diodo é de aproximadamente
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Uma fonte de tensão regulada fornece 28 V quando seus terminais de saída estão em circuito aberto. Ao ser conectado um circuito resistivo a essa fonte, observa-se que a tensão fornecida se reduz para 14 V. Pode-se afirmar que houve regulação de tensão de aproximadamente
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Considere um circuito constituído por uma fonte de tensão que fornece 1 V ao circuito, um termistor, um resistor de 100 Ω e um amperímetro ideal conectados em série. Considerando ainda que a leitura do amperímetro é de 5 mA, a resistência do termistor é de
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Na medição de um tom de 1 MHz com um osciloscópio CRT, ao se ajustar a frequência de varredura horizontal desse equipamento para 5 kHz, o número de ciclos do tom visualizados na tela do osciloscópio será o seguinte:
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Dispositivos semicondutores de portadores minoritários podem exibir altas tensões de corte com queda de tensão em condução direta relativamente pequena. Contudo, os tempos de chaveamento desses dispositivos são mais longos e são controlados pela inserção ou remoção de cargas minoritárias armazenadas. Assinale a alternativa que mostra exemplos de dispositivos semicondutores de portadores minoritários
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Considere um circuito com um MOSFET tipo depleção canal n, cujo terminal de dreno encontra-se em série com um varistor RD e uma fonte de tensão VDD de 5 V e cujos terminais de porta e de fonte encontram-se aterrados. Suponha que a corrente através do varistor seja de 1 mA. Se a tensão de limiar do MOSFET, Vt é igual a -1 V e a modulação do comprimento do seu canal é desprezível, a faixa de valores para RD de modo que a corrente permaneça constante em 1 mA é a seguinte:
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Um transdutor com 5 Vrms de tensão e resistência de 1 MΩ é utilizado para acionar uma carga de 10 Ω. Se um amplificador isolador (buffer) de ganho unitário com resistência de entrada de 1 MΩ for inserido entre o transdutor e a carga, a tensão sobre a carga e o ganho de tensão da fonte até a carga serão, respectivamente, os seguintes:
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Para um amplificador de potência classe B alimentado por uma fonte de tensão VCC de 30 V que aciona uma carga de 100 Ω, a máxima potência de entrada, a potência de saída e a dissipação em cada transistor são, respectivamente: (utilize π = 3 nos cálculos)
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