Questões de Engenharia Mecatrônica do ano 2012

Um determinado equipamento possui disponibilidade de 80%. Sabendo-se que o Tempo Médio Entre Falhas (TMEF) é de 100 horas, calcule o valor da taxa de reparo desse equipamento.

• A. 25 horas/falha.
• B. 0,4 horas/falha.
• C. 0,04 falhas/hora.
• D. 0,25 falhas/hora.
• E. 0,025 horas/falha.

Um transmissor de 20 GHz a bordo de um satélite tem uma potência de 3 W e uma antena parabólica com diâmetro de 47cm e ganho de transmissão de 37dB. A estação terrestre possui uma antena parabólica com 1m de diâmetro, um ganho de 45,8 dB e está a uma distância r=36.000km do satélite. Determine a potência recebida pela estação terrestre em dBm, assumindo que não há descasamentos de impedâncias no sistema, que as antenas possuem polarizações idênticas e estão alinhadas para o máximo ganho.

• A. -100,12 dBm.
• B. -86,32 dBm.
• C. -92.04 dBm.
• D. -88,73 dBm.
• E. -89,40 dBm.

Em relação ao Ruído Térmico, a sua potência de ruído média

• A. é diretamente proporcional à temperatura.
• B. depende da resistência dos contatos.
• C. caracteriza-se por uma forma de onda que se repete com o tempo.
• D. sempre depende da corrente de polarização.
• E. não tem todas as frequências presentes no seu espectro de frequências.

Um sistema multiestágio, possui as seguintes figuras de ruído: NF1=3dB=1,99 e NF2=6dB=3,98 e os seguintes fatores de ganho para cada estágio AP1=8dB=6,3. Dado: log 2 = 0,30 A figura de ruído geral do sistema é aproximadamente de

• A. 2,80 dB.
• B. 3,00 dB.
• C. 4,00 dB.
• D. 3,20 dB.
• E. 2,00 dB.

Assinale a alternativa que representa o maior perigo, e que pode ocorrer com maior facilidade, no manuseio de circuitos integrados CMOS.

• A. Inutilizá-lo por descargas estáticas.
• B. Aquecimento da pastilha semicondutora.
• C. Perigo de quebra dos terminais.
• D. Contaminação radioativa.
• E. Pressão na pastilha semicondutora.

Quanto às entradas não usadas de um circuito integrado CMOS, o mais apropriado é

• A. cort¨¢-las.
• B. unir essas entradas umas com as outras.
• C. lig¨¢-las a um n¨ªvel l¨®gico apropriado.
• D. lig¨¢-las a um resistor de 200 k¦¸.
• E. lig¨¢-las a um capacitor de 10 nF.

Assinale a alternativa correta em relação a um sistema de transmissão RFID.

• A. É composto de um transponder (a própria etiqueta); por dispositivos de leitura que implementam a comunicação; e por um sistema de dados que permite o acesso a todas as informações pertinentes ao objeto identificado.
• B. A comunicação RFID ocorre por fibra ótica.
• C. RFID ativos são aqueles que não usam uma fonte interna de energia.
• D. RFID ativos entram em funcionamento apenas quando estão no campo de um leitor.
• E. RFID passivos não necessitam de um sinal muito forte do leitor.

• A. 0,60 mA e 10 V.
• B. 0,70 mA e 13 V.
• C. 0,90 mA e 12 V.
• D. 1,20 mA e 14 V.
• E. 0,4 mA e 11 V.

• A. Sim, o sistema está operando normalmente.
• B. Não, o sistema não está operando normalmente e o problema é na região do emissor do transistor.
• C. Não, o sistema não está operando normalmente e o problema é na região do coletor do transistor.
• D. Não, o sistema não está operando normalmente e o problema é na resistência R1.
• E. Não, o sistema não está operando normalmente e o problema é na resistência R2.

• A. 4,00 mA
• B. 3,50 mA
• C. 2,50 vmA
• D. 3,00 mA
• E. 5,00 mA