Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?

• A. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
• B. É a energia da banda de condução.
• C. É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.
• D. É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
• E. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.

Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?

• A. São 1,1 eV e 9,0 eV.
• B. São 1,1 eV e 2,0 eV.
• C. São 6,0 eV e 9,0 eV.
• D. São 9,0 eV e 1,1 eV.
• E. São 9,0 eV e 2,0 eV.

Quais são as principais vantagens da tecnologia CMOS?

• A. Baixo consumo de energia, mas não permite alta densidade de integração dos dispositivos.
• B. Alto consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.
• C. Baixo consumo de energia e a densidade de integração dos dispositivos é muito baixa.
• D. Não apresenta vantagens quando comparada com a tecnologia TTL.
• E. Baixo consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.

Assinale a alternativa que apresenta somente técnicas de isolação entre dispositivos na tecnologia CMOS.

• A. Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e LOCOS.
• B. Corrosão úmida e STI.
• C. LOCOS e STI.
• D. Corrosão seca e corrosão úmida.
• E. Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e STI.

São características extraídas dos transistores MOS:

• A. Curva de corrente versus tensão e curva de capacitância versus tensão entre catodo e anodo.
• B. Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor.
• C. Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.
• D. Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor.
• E. Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

• A. A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor.
• B. A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.
• C. A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor.
• D. A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta.
• E. A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?

• A. Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
• B. Somente a Mobilidade de portadores no canal.
• C. Somente a espessura do óxido de porta.
• D. Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
• E. Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?

• A. Cerca de 660 nm
• B. Cerca de 330 nm
• C. Cerca de 550 nm
• D. Cerca de 440 nm
• E. Cerca de 220 nm

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?

• A. Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.
• B. Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110).
• C. Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.
• D. Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si₃N₄/Si.
• E. Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

• A. 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O.
• B. 1ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.
• C. 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.
• D. 1ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O.
• E. 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.