Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

• A. Elipsometria espectral.
• B. Espectrometria de massa por íons secundários.
• C. Levantamento do perfil capacitância-voltagem.
• D. Resistência ao espalhamento.
• E. Fotoluminescência.

Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO₂).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O₂) e água (H₂O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

• A. apenas I.
• B. apenas II.
• C. apenas III.
• D. apenas I e II.
• E. apenas II e III.

Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.

II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.

III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.

Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)

• A. apenas I.
• B. apenas II.
• C. apenas III.
• D. apenas II e III.
• E. apenas I, II e III.

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

• A. deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.
• B. deposição química de vapor melhorada por plasma.
• C. spin-on.
• D. deposição física a altas temperaturas.
• E. deposição física por Sputtering.

Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.

I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.

II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.

III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício.

A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)

• A. apenas I.
• B. apenas II.
• C. apenas III.
• D. apenas I e II.
• E. apenas I, II e III.

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

• A. aceleração do spinner.
• B. velocidade final de rotação.
• C. velocidade do plasma.
• D. velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.
• E. viscosidade da solução.

Considere as afirmativas abaixo.

I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.

II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.

III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas II e III estão corretas.
• E. Apenas I e III estão corretas.

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

• A. spin-on.
• B. deposição física a partir de vapor por Sputtering.
• C. deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
• D. deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
• E. deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.

• A. Tratamento térmico.
• B. Concentração de dopante.
• C. Tipo de dopante.
• D. Ciclo térmico.
• E. Rotação do spinner.

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

• A. Apenas I é utilizada.
• B. Apenas II é utilizada.
• C. Apenas III é utilizada.
• D. Apenas I e II são utilizadas.
• E. I, II e III são utilizadas.