Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Qual a técnica usada para a obtenção de uma imagem em secção transversal, com alta resolução, de uma camada de SiO₂ sobre substrato Si, identificando as estruturas amorfa e cristalina do SiO₂ e Si, respectivamente.

• A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
• B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
• C. Microscopia de força atômica (AFM).
• D. Elipsometria.
• E. Perfilometria.

A incorporação de oxigênio (O₂) residual ao filme fino pode causar

• A. aumento da resistividade do filme.
• B. indução à formação de hillocks.
• C. tensões.
• D. inibição à formação de hillocks.
• E. aumento da condutividade.

Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?

• A. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• B. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• C. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• D. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• E. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de corrente-tensão (I-V).

Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para

• A. obter a densidade areal.
• B. obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns micrômetros).
• C. determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade.
• D. estiramento das moléculas.
• E. obter a composição química.

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas II é verdadeira.
• C. Apenas III é verdadeira.
• D. Apenas I e III são verdadeiras.
• E. Apenas II e III são verdadeiras.

A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita

• A. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.
• B. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• C. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• D. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• E. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10^-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10^-16 cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.

• A. Uma hora e quarenta minutos.
• B. Cinco horas.
• C. Dez horas.
• D. Dez minutos.
• E. Uma hora.

Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de

• A. silicetos na estrutura desalinhada.
• B. silicetos na estrutura auto-alinhada.
• C. silicetos na estrutura.
• D. tungstênio na estrutura auto-alinhada.
• E. tungstênio na estrutura desalinhada.

Leia atentamente as afirmativas abaixo:

I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais.

II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO₂), em que ocorre a reação de oxidação do silício.

III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida.

IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons.

Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.

• A. Apenas I e IV são verdadeiras.
• B. Apenas II e III são verdadeiras.
• C. Apenas III e IV são verdadeiras.
• D. Apenas II e IV são verdadeiras.
• E. Apenas II, III e IV são verdadeiras.

Com relação aos silicetos em contatos, pode-se afirmar que

• A. em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
• B. em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e manter a integridade da junção.
• C. em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e manter a integridade da junção.
• D. em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
• E. em contatos os silicetos não são utilizados.