Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Leia as afirmativas abaixo.

I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.

Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II e III estão corretas.

Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:

• A. máxima penetração na junção.
• B. alta resistividade.
• C. alta rugosidade.
• D. existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
• E. Reação ao SiO₂ durante as temperaturas de silicetação.

Assinale a alternativa que NÃO expressa uma etapa da deposição química a partir de vapor.

• A. O vapor se condensa na superfície do substrato.
• B. Uma mistura de gases reagentes e inertes é introduzida na câmara de reação.
• C. Os reagentes são adsorvidos no substrato.
• D. Os adátomos migram e iniciam as reações químicas que formam um filme.
• E. Os produtos gasosos da reação são dessorvidos e extraídos da câmara de reação.

Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.

• A. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
• B. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
• C. Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
• D. Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
• E. Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. I, II e III estão corretas.

Processos de Sputtering têm várias aplicações na produção de circuitos integrados. Considere o processo que envolve as etapas abaixo.

I – Emissão de um feixe de íons.

II – Íons se chocam contra o alvo, provocando o arrancamento de átomos do alvo.

III – Os átomos ejetados são termodinamicamente instáveis e depositam-se sobre as paredes da câmara e sobre o substrato.

IV – Os átomos recobrem o substrato com um filme fino.

O processo acima descrito corresponde a

• A. Etching.
• B. Espectrometria de massa por íons secundários.
• C. Deposição química a partir de vapor.
• D. Deposição química de vapor melhorada por plasma.
• E. Deposição física de vapor por Sputtering.

As afirmativas abaixo se referem ao reator de deposição química a partir de vapor em baixa pressão. I – Na deposição química a partir de vapor em baixas temperaturas, é possível se posicionar os wafers na vertical, com espaçamento bastante reduzido entre eles, proporcionando o posicionamento de grande número de wafers no interior da câmara, o que compensa as baixas taxas de deposição em relação à deposição química, a partir de vapor à pressão atmosférica. II – Como os gases reagentes são consumidos ao entrarem em contato com os wafers, a concentração de gases reagentes próxima à entrada da mistura de gases é maior do que a concentração de gases reagentes próxima à saída dos gases. III - O estabelecimento de um gradiente de temperatura no interior da câmara, com o aumento da temperatura no sentido contrário ao fluxo de gases (temperatura maior na entrada e menor na saída dos gases) é fundamental para aumentar a uniformidade dos wafers. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s):

• A. I, II, III estão corretas.
• B. Apenas I e II estão corretas.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e III estão corretas.
• E. Apenas II está correta.

A seguir, são apresentadas algumas vantagens de diferentes processos de deposição química a partir de vapor.

I – Reator simples.

II – Altas taxas de deposição.

III – Excelente pureza e uniformidade.

IV – Baixa temperatura.

Assinale a alternativa que apresenta a(s) vantagem(ns) da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

• A. Apenas I.
• B. Apenas I e II.
• C. Apenas III.
• D. Apenas II e III.
• E. Apenas III e IV.

Assinale a alternativa que apresenta as desvantagens da deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

• A. Temperatura elevada.
• B. Contaminação química.
• C. Cobertura de degrau pobre.
• D. Contaminação por partículas.
• E. Taxas de deposição excessivamente altas, o que dificulta o controle do processo.

• A. 14 horas.
• B. 1390 horas.
• C. 5 minutos.
• D. 1390 segundos.
• E. 1390 minutos.