Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

• A. Solução de ácido nítrico (HNO₃).
• B. Solução básica de amoníaco (NH₄OH).
• C. Solução de ácido fosfórico (H₃PO₄).
• D. Solução de ácido fluorídrico (HF).
• E. As soluções de ácido nítrico (HNO₃) e ácido fosfórico (H₃PO₄) podem ser usadas para a corrosão do SiO₂.

Eletromigração pode ser definida como

• A. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento das partículas que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.
• B. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas grossas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que não compõe o metal.
• C. o fenômeno da transformação do metal em grossas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.
• D. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos íons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.
• E. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

• A. Apenas 2 e 3.
• B. Apenas 3 e 4.
• C. Apenas 1, 2 e 3.
• D. Apenas 2, 3 e 4.
• E. 1, 2, 3, e 4.

No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre

• A. um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• B. uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• C. uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• D. um aumento de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• E. uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.

O processo por corrosão por plasma caracteriza-se como

• A. seco e anisotrópico.
• B. úmido e anisotrópico.
• C. úmido e isotrópico.
• D. úmido e oxidante.
• E. seco e sem direção preferencial de corrosão.

Com relação ao fenômeno da Eletromigração, pode-se afirmar que

• A. o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• B. o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• C. o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• D. o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• E. o aumento da condutividade ocorre no estrangulamento do filme.

Para que serve a técnica de metalização?

• A. Para a obtenção dos contatos ôhmicos nos dispositivos semicondutores e as linhas de interconexão entre os diversos pontos do circuito integrado.
• B. Para a obtenção de filmes finos isolantes entre trilhas metálicas.
• C. Para a deposição de polímeros entre trilhas metálicas.
• D. Para auxiliar a implantação de íons e dopagem da lâmina.
• E. Para a obtenção do óxido de porta.

O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque

• A. aumenta a mobilidade dos elétrons.
• B. aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
• C. aumenta a mobilidade dos íons.
• D. aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
• E. diminui a mobilidade dos átomos na superfície.

Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?

• A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
• B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
• C. Microscopia de força atômica (AFM).
• D. Elipsometria.
• E. Perfilometria.

Nos circuitos integrados, deseja-se determinar a fase em que se encontram os silicetos, utilizando-se, para isso, a difratografia por raios-X. Essa técnica permite determinar

• A. o estiramento das moléculas.
• B. a densidade areal do filme.
• C. a composição física do filme.
• D. a estrutura do filme formado.
• E. a microestrutura do filme formado.