Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Os 3 (três) tipos principais de reatores para deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD) são as placas

• A. perpendiculares, tubo horizontal e substrato único.
• B. paralelas, tubo horizontal e substrato duplo.
• C. paralelas, tubo horizontal e substrato único.
• D. paralelas, tubo vertical e substrato único.
• E. paralelas, tubo vertical e substrato duplo.

Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.

• A. Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e processo com plasma de oxigênio.
• B. Limpeza RCA e corrosão com HCl.
• C. Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e limpeza RCA.
• D. Processo com plasma de oxigênio e limpeza RCA.
• E. Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e corrosão com solução de HCl.

Uma infraestrutura de teste possui entre outros equipamentos um analisador de espectro e um osciloscópio para o teste paramétrico de sistemas. Podemos dizer que:

• A. O analisador de espectro é empregado para a análise do espectro digital dos sinais lógicos e o osciloscópio para o teste paramétrico de amplitude apenas.
• B. O analisador de espectro é empregado para o teste paramétrico de sistemas analógicos em frequência e o osciloscópio para o teste paramétrico de amplitude apenas.
• C. O analisador de espectro é empregado para o teste paramétrico de sistemas analógicos em frequência e o osciloscópio para o teste paramétrico de amplitude e tempo de sinais analógicos ou digitais.
• D. O analisador de espectro e o osciloscópio têm a mesma finalidade, só que operam em frequências diferentes.
• E. Ambos não podem ser usados com essa finalidade.

Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que

• A. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.
• B. as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.
• C. as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.
• D. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.
• E. as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

• A. A obtenção de junções rasas.
• B. A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino.
• C. A silicetação.
• D. A obtenção de óxido de porta ultra-fino.
• E. Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.

No contexto de design for debug and diagnosis (DFD), faz-se as seguintes afirmações.

I. O processo de diagnóstico e debug exige um alto grau de controlabilidade e observabilidade dos nós internos de um circuito de forma que muitas das técnicas de DFT como scan são ajustadas para este fim. Exemplos deste tipo de técnicas especialmente ajustadas para diagnóstico e debug são blocos lógicos e sinais de relógio reconfiguráveis.

II. A única forma de extrair as informações de debug e diagnóstico é através de cadeias de scan dedicadas para isto.

III. Pode-se empregar de focused ion beam (FIB) para a edição ou pequenos consertos em um circuito integrado visando isolar ou corrigir possíveis defeitos.

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas II é verdadeira.
• C. Apenas I e II verdadeiras.
• D. Apenas I e III verdadeira.
• E. I, II e III são verdadeiras.

O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos com diâmetros maiores que 200 mm

• A. é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
• B. é o de tubo horizontal.
• C. é o de placas paralelas.
• D. é o de substrato único.
• E. é o de tubo vertical.

Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?

1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.

2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.

3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.

Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):

• A. 1.
• B. 1, 2 e 3.
• C. 2.
• D. 1 e 2.
• E. 2 e 3.

Em aplicações onde são usadas técnicas de DFT baseadas em BIST – built-in self test deve-se ter especial atenção ao processo de aplicação do teste em si. No caso de memórias, uma das técnicas aplicadas para o auto-teste em baixa potência é:

• A. O espaçamento entre os ciclos de leitura e escrita.
• B. A aplicação do teste no tempo em que a memória não está sendo acessada.
• C. A modificação dos testes convencionais de memória reordenando o endereçamento para evitar ao máximo as transições nas linhas de endereço sem perder a cobertura de falhas.
• D. O emprego do menor número de transições nos bits da memória.
• E. Nenhuma das descritas anteriormente.

Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é

• A. o mecanismo simples.
• B. a elevada temperatura.
• C. a alta taxa de deposição.
• D. ser isento de contaminação.
• E. não ter vantagens.