Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção?

1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons.

2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados.

3 - Para oxidar a lâmina.

4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem.

Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

• A. 1 e 2.
• B. 2 e 3.
• C. 2, 3 e 4.
• D. 1, 2 e 3.
• E. 1, 3 e 4.

Assinale uma desvantagem do processo de deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.

• A. Contaminação química e por partículas.
• B. Elevada temperatura.
• C. Baixa taxa de deposição.
• D. Péssima cobertura de degrau.
• E. Não possui desvantagem.

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

• A. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• B. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
• C. Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
• D. Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• E. Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

Considerando as propriedades de um plasma e as de um gás com moléculas eletricamente neutras é correto afirmar que

• A. um plasma, assim como um gás com moléculas neutras, tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, além de não absorver qualquer tipo de radiação.
• B. um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem certos tipos de radiação.
• C. um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem radiação.
• D. um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, assim como um gás com moléculas neutras. Além disso, não absorve qualquer tipo de radiação.
• E. um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, um plasma absorve certos tipos de radiação que passariam sem interagir em um gás formado por moléculas neutras.

O que é a técnica de fotolitografia?

• A. É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• B. É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• C. É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• D. É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• E. É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

O plasma pode ser definido como

• A. um líquido que foi aquecido suficientemente sem se tornar ionizado.
• B. um gás que foi aquecido suficientemente sem se tornar ionizado.
• C. um líquido que foi aquecido suficientemente sem se tornar ionizado.
• D. um gás que foi aquecido suficientemente até tornar-se ionizado.
• E. uma mistura líquido-vapor que foi aquecida suficientemente até tornar-se ionizada.

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

• A. Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo.
• B. Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio.
• C. Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio.
• D. Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio.
• E. Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.

No processo de geração de plasma, quando se aumenta a voltagem, a densidade do plasma

• A. não se altera.
• B. diminui.
• C. aumenta.
• D. fica instável.
• E. aumenta ou diminui em função do tipo de gás.

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

• A. Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
• B. Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
• C. Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.
• D. Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.
• E. Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.

A densidade de plasma será tanto maior quanto maior for

• A. o grau de ionização.
• B. a quantidade de radicais livres.
• C. a quantidade de partículas sólidas a alta velocidade.
• D. a quantidade de átomos.
• E. a quantidade de moléculas.